Modulo: INTEGRATED ELECTRONIC DEVICES |
Lingua
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ENG |
Corso di laurea
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Ingegneria Elettronica |
Programmazione per l'A.A.
|
2019/2020 |
Curriculum
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Electronics Engineering (percorso valido anche ai fini del conseguimento del doppio titolo italo-francese o italo-venezuelano o italo-statunitense) - in lingua inglese |
Orientamento
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Esami per verifica dei requisiti Laurea Ingegneria Elettronica |
Anno
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Primo anno |
Unità temporale
|
Primo semestre |
Tipo di attestato
|
Attestato di profitto |
Crediti
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3
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Settore scientifico disciplinare
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ING-INF/01
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Ore Aula
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18
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Ore Esercitazioni
|
12
|
Ore Studio
|
-
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Attività formativa
|
Attività formative caratterizzanti
|
Canale Unico
Docente
|
CAPUTO DOMENICO
(programma)
Fisica dei Semiconduttori: mobilità; scattering; mobilità in un campo elettrico; mobilità in temperatura; curva universale di mobilità; modelli empirici di mobilità in campo trasverso e in campo longitudinale; saturazione della velocità; generalità: livello di Fermi, approssimazione di Maxwell Boltzmann; livelli energetici, centri di ricombinazione, trappole, concentrazioni di portatori; equilibrio termodinamico; legge di azione di massa, approssimazione di quasi neutralità; condizioni di fuori equilibrio; quasi-Fermi levels generazione-ricombinazione all’equilibrio; foto-generazione; interazione luce-silicio. Esercizi.
Componenti a giunzione: contatti metallo semiconduttore (equilibrio termodinamico; costruzione del diagramma a bande; barriera; bending del silicio; svuotamento; campo elettrico; potenziale; Gauss; Poisson 1-D); contatti ohmici; caratteristiche generali delle giunzioni p-n a semiconduttore in equilibrio termodinamico (costruzione del diagramma a bande; potenziale di built-in; svuotamento; campo elettrico; potenziale; Gauss; Poisson 1-D); giunzioni a semiconduttore polarizzate (controllo del potenziale di giunzione; generazione e ricombinazione; soluzione della equazione di continuità in condizioni di svuotamento, accumulazione, neutralità; Schockley-Hall-Read; equaz della corrente); principio di funzionamento del fotodiodo; principio di funzionamento della cella solare a giunzione; concetti base del funzionamento del bjt: efficienza di emettitore; coefficiente di trasporto; guadagno; estrazione dei parametri di Ebers Moll; funzionamento diretto; funz. inverso. Esercizi ed esempi.
Sistemi MOS e MOSFET: diagramma a bande; condizioni di svuotamento, arricchimento, inversione, flat-band; tunnel diretto e tunnel Fowler-Nordheim; bending del silicio; Poisson 1-D; carica nell’ossido; carica alle interfacce; MOSFET a canale lungo: VT implant; modelli a canale lungo di approssimazione zero; approssimazione di svuotamento uniforme; svuotamento e canale variabile; equazioni delle correnti; parametri di SPICE; corrente sottosoglia.
Problematiche generali dei componenti integrati in tecnologia CMOS; regole di scaling; ITRS e Legge di Moore; introduzione agli effetti di canale corto; introduzione agli effetti di hot carriers; soluzione della equazione Poisson e Gauss in 2-D.
"Device electronics for integrated circuits" by Muller and Kamins, Wiley
"Ultra Large Scale Integration in CMOS Technology" by F. Irrera, Efesto Edizioni
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Date di inizio e termine delle attività didattiche
|
-- -
-- |
Modalità di erogazione
|
Tradizionale
|
Modalità di frequenza
|
Non obbligatoria
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Metodi di valutazione
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Prova scritta
Prova orale
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Modulo: INTEGRATED ELECTRONIC DEVICES |
Lingua
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ENG |
Corso di laurea
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Ingegneria Elettronica |
Programmazione per l'A.A.
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2019/2020 |
Curriculum
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Electronics Engineering (percorso valido anche ai fini del conseguimento del doppio titolo italo-francese o italo-venezuelano o italo-statunitense) - in lingua inglese |
Orientamento
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Esami per verifica dei requisiti Laurea Ingegneria Elettronica |
Anno
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Primo anno |
Unità temporale
|
Primo semestre |
Tipo di attestato
|
Attestato di profitto |
Crediti
|
6
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Settore scientifico disciplinare
|
ING-INF/01
|
Ore Aula
|
36
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Ore Esercitazioni
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24
|
Ore Studio
|
-
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Attività formativa
|
Attività formative caratterizzanti
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Canale Unico
Docente
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CAPUTO DOMENICO
(programma)
Fisica dei Semiconduttori: mobilità; scattering; mobilità in un campo elettrico; mobilità in temperatura; curva universale di mobilità; modelli empirici di mobilità in campo trasverso e in campo longitudinale; saturazione della velocità; generalità: livello di Fermi, approssimazione di Maxwell Boltzmann; livelli energetici, centri di ricombinazione, trappole, concentrazioni di portatori; equilibrio termodinamico; legge di azione di massa, approssimazione di quasi neutralità; condizioni di fuori equilibrio; quasi-Fermi levels generazione-ricombinazione all’equilibrio; foto-generazione; interazione luce-silicio. Esercizi.
Componenti a giunzione: contatti metallo semiconduttore (equilibrio termodinamico; costruzione del diagramma a bande; barriera; bending del silicio; svuotamento; campo elettrico; potenziale; Gauss; Poisson 1-D); contatti ohmici; caratteristiche generali delle giunzioni p-n a semiconduttore in equilibrio termodinamico (costruzione del diagramma a bande; potenziale di built-in; svuotamento; campo elettrico; potenziale; Gauss; Poisson 1-D); giunzioni a semiconduttore polarizzate (controllo del potenziale di giunzione; generazione e ricombinazione; soluzione della equazione di continuità in condizioni di svuotamento, accumulazione, neutralità; Schockley-Hall-Read; equaz della corrente); principio di funzionamento del fotodiodo; principio di funzionamento della cella solare a giunzione; concetti base del funzionamento del bjt: efficienza di emettitore; coefficiente di trasporto; guadagno; estrazione dei parametri di Ebers Moll; funzionamento diretto; funz. inverso. Esercizi ed esempi.
Sistemi MOS e MOSFET: diagramma a bande; condizioni di svuotamento, arricchimento, inversione, flat-band; tunnel diretto e tunnel Fowler-Nordheim; bending del silicio; Poisson 1-D; carica nell’ossido; carica alle interfacce; MOSFET a canale lungo: VT implant; modelli a canale lungo di approssimazione zero; approssimazione di svuotamento uniforme; svuotamento e canale variabile; equazioni delle correnti; parametri di SPICE; corrente sottosoglia.
Problematiche generali dei componenti integrati in tecnologia CMOS; regole di scaling; ITRS e Legge di Moore; introduzione agli effetti di canale corto; introduzione agli effetti di hot carriers; soluzione della equazione Poisson e Gauss in 2-D.
"Device electronics for integrated circuits" by Muller and Kamins, Wiley
"Ultra Large Scale Integration in CMOS Technology" by F. Irrera, Efesto Edizioni
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Date di inizio e termine delle attività didattiche
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-- -
-- |
Date degli appelli
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Date degli appelli d'esame
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Modalità di erogazione
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Tradizionale
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Modalità di frequenza
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Non obbligatoria
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Metodi di valutazione
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Prova scritta
Prova orale
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