| Modulo: Nanoelectronic device characterization |
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Lingua
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ENG |
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Corso di laurea
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Ingegneria delle Nanotecnologie - Nanotechnology Engineering |
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Programmazione per l'A.A.
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2020/2021 |
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Curriculum
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Nanotechnology Engineering (percorso valido anche ai fini del conseguimento del doppio titolo italo-venezuelano) - in lingua inglese |
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Anno
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Secondo anno |
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Unità temporale
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Secondo semestre |
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Tipo di attestato
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Attestato di profitto |
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Crediti
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3
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Settore scientifico disciplinare
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ING-INF/01
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Ore Aula
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30
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Ore Studio
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-
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Attività formativa
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Attività formative affini ed integrative
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Canale Unico
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Docente
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PALMA FABRIZIO
(programma)
Studio della capacità MOS. Analisi con simulatore Band diagram. Studio analitico della struttura MOS. Utilizzo del simulatore TCAD. Simulazione capacità MOS. Effetto di difetti superficiali. Procedura di estrazione della densità di difetti da valori di capacità ad alta e bassa frequenza. Estrazione del drogaggio. Posizione dei difetti in banda. Corrente do Fowler-Nordaim. Effetto del mismatch di banda. MIsure in laboratorio della capacità MOS a bassa ed alta frequenza. Estrazione della densità di difetti. Misura della corrente di Fowler-Nordaim. Stress dell'ossido in corrente. Valutazione della degradazione dell'ossido e della crescita di difetti.
 Dispense del professore
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Date di inizio e termine delle attività didattiche
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22-02-2021 -
28-05-2021 |
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Date degli appelli
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Date degli appelli d'esame
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Modalità di erogazione
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A distanza
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Modalità di frequenza
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Non obbligatoria
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Metodi di valutazione
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Valutazione di un progetto
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