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Docente
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DE CESARE GIAMPIERO
(programma)
-Limiti e prospettive delle tecnologie ULSI.
-Passi di fabbricazione di BJT e MOSFET.
-Il silicio monocristallino: caratteristiche chimico-fisiche del silicio, tecnica di crescita di monocristalli bulk con il metodo Czochralski, difetti.
-Tecniche di crescita epitassiali. Epitassia da fase vapore (VPE, MOVPE). Epitassia da fasci molecolari (MBE).
-Ossidazione termica del silicio:struttura e proprietà dell’ossido di silicio; modello cinetico; apparati per ossidazione termica.
-Tecniche di drogaggio di materiali semiconduttori: meccanismi di diffusione di impurezze droganti, diffusione termica; impiantazione ionica.
-Deposizione di film sottili per CVDe PVD.
-Tecniche litografiche: preparazione delle maschere; litografia ottica, a raggi X ed a fascio elettronico; resist.
-Attacchi umidi e secchi: anisotropia e selettività dell’attacco; plasma etching, sputter etching e reactive ion etching.
-Conduttori: metalli per le interconnessioni; elettromigrazione, livelli di metallizzazioni e via-holes.
-Il laboratorio tecnologico, cenni di tecnologie del vuoto.
Esperienze nel laboratorio di tecnologie microelettroniche del Dipartimento di Ingegneria Elettronica.
Il corso prevede seminari descrittivi di processi di fabbricazione di sistemi microelettronici
 - Fondamenti di tecnologie e materiali per l’elettronica, Vittorio Passaro, Aracne editrice
- Silicon Processing for the VLSI Era: S. Wolf, R.N. Tauber, Vol 1 Process Technology. Lattice press
- Materiale integrativo (lucidi/diapositive del corso, articoli)
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