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ELETTRONICA I
(obiettivi)
GENERALI Il modulo fornisce: le basi delle tecnologie bipolare e unipolare per realizzare circuiti integrati allo stato solido; la caratterizzazione elettronica di dispositivi e sistemi elettronici; i metodi analitici e l’apprendimento di tecniche CAE per lo studio di configurazioni base e di circuiti utilizzati nei sistemi di comunicazione.
SPECIFICI • Conoscenza e capacità di comprensione: conoscere metodi analitici per la risoluzione di circuiti, comprendere le modalità di funzionamento di specifici circuiti adottati in telecomunicazione, nonché conoscere la tecnologia di base dell’elettronica dello stato solido. • Capacità di applicare conoscenza e comprensione: applicare metodologie di analisi e progetto nella tecnologia analogica, mediante attività: di simulazione PSPICE e sperimentali in laboratorio. • Capacità critiche e di giudizio: sono svolte prove di laboratorio ai banchi di misura su schede didattiche realizzate dal docente e/o commerciali, per es. Analog System Lab Kit PRO della Texas Instruments. Sono svolte prove di simulazione al calcolatore con applicativo software CAE PSPICE per analisi di circuiti elettronici. • Abilità comunicative: saper descrivere le soluzioni circuitali adottate per risolvere problemi di trattamento di segnali: dai problemi di alimentazione a quelli di adattamento, amplificazione, filtraggio e in generale di modifica dei parametri costitutivi. L’abilità comunicativa è realizzata affrontando alcuni temi fondamentali con la richiesta di partecipazione attiva alla soluzione dei problemi, sulla base delle conoscenze acquisite dalle precedenti lezioni o da corsi già superati. • Capacità di proseguire lo studio in modo autonomo nel corso della vita: capacità di proseguire gli studi successivi riguardanti tematiche avanzate di elettronica, fondate sulle metodologie di analisi e progetto acquisite.
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FERRARA VINCENZO
( programma)
Il programma del corso prevede una prima fase di presentazione dei segnali e la loro trattazione analitica finalizzata alla risoluzione di circuiti, con l’individuazione degli intervalli operativi di frequenza e ampiezza, mediante filtri e limitazioni da saturazione dei livelli. Partendo dai metodi di caratterizzazione elettrica di specifici bipoli, vengono introdotte le reti due porte, specificatamente le quattro tipologie di amplificatori e in particolare l’operazionale. Con quest’ultimo è prima implicitamente e poi successivamente in modo esplicito evidenziata la base metodologica della tecnica della retroazione negativa e dei suoi effetti sui parametri caratterizzanti l’amplificatore senza retroazione. Vengono esaminati vari circuiti con OP che conducono lo studente alle possibili applicazioni di elaborazione dei segnali (integrazione, derivazione, somma, differenza, mixaggio, tosatura, …). L’introduzione della retroazione positiva amplia la panoramica dei circuiti agli oscillatori, multivibratori e generatori di funzioni. Segue una fase di dettaglio elettronico, che si cala nella descrizione dei componenti che realizzano gli OP e in generale i circuiti integrati. Dopo una breve introduzione della fisica dello stato solido, volta a identificare la specificità nei semiconduttori della presenza di due tipi di cariche elettriche mobili (elettroni e lacune) e a poter introdurre le due differenti correnti di trasporto e diffusione, sono presentati i componenti base: diodi a giunzione e transistori (bipolari e unipolari). La parte finale del corso esamina le differenti configurazioni dei transistori e la descrizione di alcune configurazioni notevoli di stadi in cascata di transistori, volti a esaltare/migliorare i parametri di amplificazione del singolo stadio (differenziale, cascode, Darlington, …). Le lezioni giornaliere sono quelle elencate di seguito: I riferimenti ai capitoli e alle appendici sono da intendersi quelli relativi al testo: Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith, Circuiti per la Microelettronica, Ed. EdiSES Università, V Edizione, 2019. Le dispense sono fornite nella sezione del corso e-learning di Sapienza.
Settimana 1 Presentazione del corso. I segnali: analogici, digitali, spettro di frequenza. Richiami sui segnali periodici: sviluppo in serie, analisi spettrale del segnale, trasformata di Laplace, trasformata di Fourier. Realizzabilità dei sistemi di comunicazione, controllo e calcolo per la disponibilità di tecnologie elettroniche. Metodi di soluzione di circuiti non lineari: analitico, numerico al calcolatore (Spice), lineare a tratti, grafico. (Cap. 1.1, Cap. 1.2, Cap. 1.3)
Presentazione del programma di simulazione di circuiti elettronici Spice-Capture. Altri prodotti di simulazione: LTSpice, Fritzing. Progettazione hardware e software: esempi prototipi Arduino. Esercitazione introduttiva SPICE-Capture, analisi: statica (punto di lavoro di un componente non lineare), soluzioni nel dominio del tempo (transient), soluzioni nel dominio della frequenza (AC). (Appendice B + Manuale Spice)
Nozioni e metodi di base per la soluzione di circuiti elettronici: bipoli, reti due porte, reti due porte sbilanciate, caratteristiche statiche I-V, resistenze, generatori di tensione e corrente indipendenti, componenti passivi e attivi, resistenze serie, resistenze parallelo. Quadranti e potenza dissipata/erogata. Metodo grafico: bipoli in serie e parallelo. Applicazione del principio di sovrapposizione degli effetti. Equazioni alle maglie e ai nodi. Circuiti equivalenti di Thevenin e Norton. Regola del partitore di tensione. Regola del partitore di corrente. Teorema dell’assorbimento (Esercizi applicativi) (Appendici C e D)
Settimana 2
Caratteristiche V-I di componenti elettronici e relativi modelli. Modelli lineari a tratti della caratteristica V-I di un bipolo. Esempi: caratteristica V-I di diodi, diodi zener, fotodiodi, cella solare, diodo tunnel. Modelli per grandi segnali del diodo. Modelli approssimati del diodo. Punto di lavoro. Sovrapposizione di un segnale di piccole dimensioni, limitazioni delle distorsioni, linearità. Separazione delle analisi: statica e di piccolo segnale. Sistemi lineari e non lineari: linearità locale e sovrapposizione degli effetti. Esempi di retta di carico statica e dinamica. Utilizzo dei modelli lineari a tratti per analisi circuitale e rappresentazione grafica della caratteristica ingresso-uscita. (Cap. 3.3+Cap. 3.4+Cap. 3.7, Appendice della Dispensa “scheda_alimentatori_3.2.pdf”)
Amplificatori: reti due porte. Tipi di amplificatori: AV, AI, GM, RM. Guadagno espresso in decibel. Legame tra dB di potenza e dB di tensione e corrente. Amplificatori in cascata. Relazioni tra i quattro modelli di amplificatori. Modelli unilaterali e retroazionati. (Cap. 1.4 e 1.5)
Esercizi circuitali. Spice: Estrazione della caratteristica statica di un componente (DC sweep, impostazioni del Plot), misura mediante cursori, esempio di estrazione della caratteristica statica V-I di un bipolo (diodo 1N4002). Rete due porte con generatore controllato di tensione (Av_E) ad anello aperto e con retroazione. Componenti reattivi (C, L). Esempi di filtri RC. Risposta in frequenza degli amplificatori. Banda passante e definizione delle frequenze di taglio a -3dB inferiore e superiore. Richiamo di poli e zeri della funzione di trasferimento nel dominio di Laplace e nel dominio della frequenza. Reti a singola costante di tempo STC. Soluzioni nel dominio del tempo. Soluzioni nel dominio di Laplace e di Fourier. Metodo analitico di valutazione dei diagrammi di Bode di Ampiezza e Fase. (Cap. 1.6, Cap. 9.1: calcolo della frequenza di taglio inferiore+9.1.2+9.4, Appendice E, Appendice F)
Settimana 3
Partitore compensato. Circuito RC con applicazione di un segnale a gradino; evoluzione nel tempo: costante di tempo. STC: relazione tra costante di tempo, frequenza di taglio a -3dB superiore e tempo di salita; relazione tra tilt (sag) e frequenza di taglio a -3dB inferiore. Calcolo della frequenza di taglio mediante il metodo delle costanti di tempo: approssimazione relativa agli zeri della funzione di trasferimento (Esercizi applicativi) (Appendice E, Appendice F, Dispensa “scheda_alimentatori_3.2.pdf”)
Introduzione all'operazionale ideale, realizzazione di una massa virtuale e sua valutazione analitica. Guadagno ad anello aperto di OP ideale e reale. Segnali differenziali e di modo comune. Interpretazione mediante la teoria delle controreazioni. Retroazione ideale. Amplificatore con retroazione negativa. Configurazione invertente, non invertente. Calcolo dell’amplificazione con guadagno ad anello aperto finito dell’OP. Resistenze di ingresso e d’uscita dell’OP ed effetto della retroazione. Circuiti con OP: somma pesata, circuiti somma-differenza, inseguitore di tensione, DAC, NIC. (Cap. 2.1, Cap 2.2, Cap 2.3)
Esercizi circuitali con OP. Circuiti con OP: differenziale (modo comune e CMRR), derivatore, differenziale da laboratorio, differenziale con due OP. Teorema di Miller. Circuiti con OP: integratore di Miller, derivatore. (Cap. 2.4. Cap. 2.5, Cap. 9.3.3)
Settimana 4
Struttura interna OP (cascata amplificatore differenziale, amplificatore di tensione e buffer d'uscita). Dipendenza dai parametri interni dell'amplificazione Ado e della frequenza di taglio a -3 dB ad anello aperto. OP: non idealità in continua (VOS, IOS, IBIAS), effetti del guadagno e banda di valore finito. Risposta in frequenza degli amplificatori ad anello chiuso. Limiti di funzionamento per grandi segnali (Saturazione della tensione d’uscita, corrente d’uscita, Slew rate, larghezza di banda a piena potenza). (Cap. 2.6, Cap. 2.7, Cap. 2.8)
Approfondimento sulle tecniche di retroazione. Retroazione negativa. Guadagno d’anello. Fattore di retroazione. Proprietà della retroazione negativa. Le quattro tipologie di retroazione serie-parallelo, serie-serie, parallelo-serie, parallelo-parallelo. Effetti della retroazione sui parametri di amplificazione. (Cap. 10.1, Cap. 10.2, Cap. 10.3, Cap.10.5)
Retroazione ideale e analisi sistematica. Uso del guadagno d’anello. Approccio alternativo: analisi utilizzando il “return ratio” (Rosenstark). Casi reali e tecniche di risoluzione. Effetto della retroazione sui poli della risposta in frequenza di un amplificatore: caso dell’OP. Effetti sulle resistenze d’ingresso e d’uscita. Il problema della stabilità dei sistemi controreazionati (cenni di analisi della stabilità con i diagrammi di Bode. Cenni su margine di fase e margine di guadagno). (Cap. 10.4, Cap. 10.5, Cap. 10.6, Cap 10.8.1÷10.8.4, Cap. 10.9.1÷10.9.2)
Settimana 5
Introduzione alla retroazione positiva. Oscillatori sinusoidali e non lineari. Criterio di Barkhausen. Esempio di oscillatore sinusoidale: oscillatore a ponte Wien. Multivibratori bistabili. Generatori di forme d’onda quadre e triangolari. Multivibratore monostabile. (Cap. 14.1, Cap. 14.2.1, Cap. 14.4, Cap. 14.5)
Continuazione multivibratori: generatori di forme d’onda quadre e triangolari. Multivibratore monostabile. Oscillatore controllato in tensione (VCO). (Cap. 14.4, Cap. 14.5, Cap. 14.6)
Cenni di fisica dei dispositivi: semiconduttori intrinseci, estrinseci e degeneri. Bande di energia, equazione di continuità, correnti di deriva e di diffusione. La giunzione p-n, equazione di Shockley del diodo. Capacità di giunzione e di svuotamento. (Cap. 1.7, Cap. 1.8, Cap. 1.9, Cap. 1.10, Cap.1.11, Cap. 1.12, per approfondimenti Dispensa “Complementi di Elettronica dello Stato solido”)
Settimana 6
Continuazione: La giunzione p-n, equazione di Shockley del diodo. Capacità di diffusione e di svuotamento. Richiamo di bipoli con caratteristiche V-I non lineari: diodi. Diodo ideale: caratteristica e prime applicazioni (raddrizzatore, limitatori o tosatori con diodi. porte logiche OR e AND con diodi, rivelatore di massimo e di minimo, circuito di aggancio (clamp), moltiplicatore di tensione continua, demodulatore di inviluppo). (Cap. 3.1, Cap. 3.2, Cap. 3.5.4, Cap. 3.6)
Circuiti con diodo: analisi grafica, procedura iterativa di soluzione circuitale con Esercitazione modello esponenziale dei diodi. Effetto della frequenza sul circuito raddrizzatore: tempo di recupero inverso. Diodo come regolatore di tensione. Completamento regione inversa del diodo: breakdown, diodo zener. Coefficienti termici. Completamento effetto fotoelettrico: diodo led, laser, fotodiodo, cella solare. Diodi particolari: diodo a barriera, varactor. Rivelatore di massimo e di minimo, circuito di aggancio (clamp), moltiplicatore di tensione continua, superdiodo, rettificatore di precisione. Commutazione veloce: tempo di recupero inverso. Circuiti elettronici per le telecomunicazioni: esempio di utilizzo del modello generatore controllato polinomiale: prodotto misto di due tensioni. Porta di campionamento a diodi. Demodulatore di inviluppo. Mixer a diodo e mixer a diodi doppiamente bilanciato. (Cap. 3.3, Cap. 3.4, Cap. 3.7, Dispensa “scheda_alimentatori_3.2.pdf”)
Concetti base dell'architettura di un sistema elettronico: trasduttori, alimentatori, sincronizzatori, amplificazione, conversione, elaborazione, adattamento ingresso-uscita... Caratterizzazione di un sistema elettronico: analogico/digitale, banda di frequenza, dinamica, dissipazione, rumore endogenerato,... Il problema dell'alimentazione (richiamo del concetto "punto di lavoro"). Accenno sui sistemi di conversione AC-DC e DC-DC. Circuiti raddrizzatori a diodi: a semionda, a doppia semionda, con filtro capacitivo, raddrizzatore di precisione. Concetti di regolazione e stabilizzazione. Sottosistema alimentatore. Alimentatore stabilizzato a zener e regolazione. (Cap. 3.5, Dispensa “scheda_alimentatori_3.2.pdf”)
Settimana 7 Introduzione ai transistori unipolari. Fisica del transistore JFET. Fisica e caratteristiche di un MOSFET a canale n e p. Caratteristiche ID-VDS e transcaratteristica ID-VGS in zona di saturazione. Resistenza d’uscita di valore finito in regione di saturazione. La tecnologia complementare CMOS. (Cap. 5.1, Cap. 5.2)
Esercitazione su circuiti MOS in continua: connessione a diodo, generatore di corrente, circuiti CMOS. Circuiti in continua e polarizzazione dei transistori MOS. (Cap. 5.3)
Continuazione esercitazione su circuiti MOS in continua: connessione a diodo, generatore di corrente, circuiti CMOS. Circuiti di polarizzazione per transistori MOS. Effetto body, effetti della temperatura, breakdown. MOSFET a svuotamento. (Cap. 5.3, Cap. 5.4)
Settimana 8
Introduzione ai transistori BJT. Struttura fisica. Transistori npn e pnp. Funzionamento e modelli nelle regioni attiva, saturazione e interdizione. Caratteristiche IC-VCE, IB-VBE. (Cap. 4.1, Cap. 4.2)
Circuiti a BJT in continua. Breakdown e dipendenza dalla temperatura. Caratteristica di trasferimento in tensione VTC. Limiti dell’amplificazione Av=f(VDD,Vov). Amplificazione e punto di lavoro. (Cap. 4.3, Cap. 6.1)
Modelli per piccoli segnali di transistori MOS e BJT e parametri di amplificazione. Condizioni per modelli semplificati dei modelli per piccoli segnali. Modellizzazione dell’effetto body. Configurazioni base per MOS e BJT: CS, CD, CG, CB,CB,CE. Retroazione stabilizzante con resistenza di source e Drain-Gate. (Cap. 6.2, Cap. 6.3)
Settimana 9
Continuazione configurazioni base per MOS e BJT: CS, CD, CG, CB,CB,CE. Circuiti di polarizzazione dei transistori. Esercitazione con circuiti BJT e MOS. Svolgimento dell’analisi per piccoli segnali direttamente sullo schema circuitale. (Cap. 6.3, Cap. 6.4)
Retroazione stabilizzante del punto di lavoro, effetti sul segnale. Eliminazione della retroazione per il segnale. Amplificatori in cascata con separazione mediante condensatori di blocco e uso di condensatori di bypass. Criteri per la scelta della configurazione in un problema di adattamento e amplificazione di una grandezza elettrica. Risposta in frequenza degli amplificatori, in bassa e alta frequenza. Modelli ad alta frequenza. Metodo delle costanti di tempo. (Cap. 6.5, Cap. 9.1, Cap. 9.2, Cap. 9.3, Cap. 9.4.3)
MOSFET: Componenti discreti e componenti integrati. Limiti imposti dalla tecnologia: guadagno intrinseco. Blocchi circuitali fondamentali degli amplificatori integrati: generatori d corrente, circuiti di pilotaggio in corrente. Tecniche di polarizzazione: polarizzazione con generatori di corrente. (Cap. 7.1, Cap. 7.2)
Settimana 10
MOSFET: Cella di guadagno elementare. Gli amplificatori a source comune e ad emettitore comune con generatore di corrente di carico. Tecnologia CMOS. Amplificatori CG e CB (Cap. 7.3, Cap. 7.4)
Amplificatore cascode e sue caratteristiche. Specchi a prestazioni elevate: cascode , Wilson, Widlar. Coppie notevoli di stadi a transistori. Configurazione Darlington. Bootstrap (Cap. 7.5, Cap. 7.6, Cap. 7.7)
Continuazione: Amplificatore cascode e sue caratteristiche. Specchi a prestazioni elevate: cascode , Wilson, Widlar. Coppie notevoli di stadi a transistori. Configurazione Darlington. Bootstrap (Cap. 7.5, Cap. 7.6, Cap. 7.7)
Settimana 11
Coppie notevoli di stadi a transistori. Amplificatore differenziale a BJT. Reiezione di modo comune. Offset di tensione di ingresso, offset di corrente e correnti di polarizzazione. (Cap. 8.2, Cap. 8.3.2, Cap. 8.4.2, Cap. 8.4.3)
Amplificatore differenziale a BJT con carico attivo. Guadagno di modo comune e CMRR. Esercitazione: circuiti con transistori. (Cap. 8.5.4, Cap. 8.5.5)
ATTIVITA’ DI LABORATORIO E’ prevista un’attività di laboratorio (esercitazione assistita) costituita da due ore settimanali (12/14 ore totali) di attività di simulazione software (Cadence/PSPICE) (Appendice B) e da 12/14 ore totali di esperienze ai banchi di misura. In particolare le esperienze ai banchi di misura riguardano: •Esperienze su schede elettroniche riconfigurabili realizzate in Dipartimento e contenenti: o OP (Configurazioni invertente e non invertente, integratore di Miller, Slew-rate e settling time, VCO) o Diodi (Rettificatore a semionda, onda intera, demodulatore di inviluppo, clamp, rettificatore di precisione) o BJT (Caratteristica statica di trasferimento ingresso uscita di una configurazione CE. Amplificatore in configurazione CE, effetti sull'amplificazione di un carico a basso valore resistivo; cascata CE-CC; bootstrap. Amplificatore differenziale BJT, generatore di corrente: Widlar, specchio di corrente). •Attività di progettazione con schede della Texas Instruments: Analog system Lab kit PRO.
Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith, Circuiti per la Microelettronica, Ed. EdiSES Università, V Edizione, 2019.
Materiale integrativo Dispense, schemi PSPICE ed esercizi distribuiti in aula e disponibili sul sito web https://elearning2.uniroma1.it/course/view.php?id=4923
(Date degli appelli d'esame)
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ING-INF/01
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Attività formative caratterizzanti
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ITA |
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CAMPI ELETTROMAGNETICI
(obiettivi)
Conoscenza di alcuni argomenti di base nel settore dell’elettromagnetismo applicato, comprendenti fondamenti di elettromagnetismo, onde elettromagnetiche e loro proprietà di propagazione libera e guidata, modelli circuitali a costanti distribuite e radiazione. SPECIFICI • Conoscenza e capacità di comprensione: conoscere e comprendere le equazioni e i teoremi fondamentali dell’elettromagnetismo, le onde piane dello spazio libero e le loro proprietà di riflessione e rifrazione su interfaccia piana, il formalismo delle linee di trasmissione, i fondamenti della propagazione guidata e della radiazione in spazio libero. • Capacità di applicare conoscenza e comprensione: saper applicare le conoscenze teoriche acquisite per risolvere semplici problemi numerici sugli argomenti del corso. • Autonomia di giudizio: (assente) • Abilità comunicative: saper illustrare gli argomenti del corso derivando i risultati dalle equazioni fondamentali e descrivendone il significato fisico e l’importanza applicativa. • Capacità di apprendimento: capacità di affrontare ulteriori approfondimenti nel settore dell’elettromagnetismo applicato, in particolare sulle antenne, la propagazione e il progetto di componenti ad alta frequenza.
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BURGHIGNOLI PAOLO
( programma)
[NB per ciascun argomento del programma viene indicato il capitolo e il paragrafo del libro di testo]
- Richiami di concetti base - Richiami di analisi vettoriale (Cap. I, par. I.1) Campi scalari e campi vettoriali (Cap. I, par. I.2) Operatori differenziali (Cap. I, par. I.3) Sistemi di coordinate curvilinee ortogonali (Cap. I, par. I.4) Funzione di Dirac (Cap. I, par. I.5) Campi irrotazionali e solenoidali (Cap. I, par. I.6) Cenni di analisi diadica e poliadica (Cap. I, par. I.7)
- Proprietà fondamentali dei campi elettromagnetici nel dominio del tempo e della frequenza - Equazioni di Maxwell, Relazioni costitutive del mezzo, Condizioni al contorno, Teorema di Poynting. (Cap. II, parr. II.1-5) Teorema di unicità nel dominio del tempo (Cap. II, par. II.6) Metodo delle grandezze complesse o dei fasori (Cap. III, par. III.1) Cenni sulla trasformata di Fourier e sulla sua utilizzazione (Cap. III, par. III.2) Vettori complessi e relative caratteristiche di polarizzazione dei campi elettromagnetici (Cap. III, par. III.3) Equazioni di Maxwell e relazioni costitutive del mezzo nel dominio della frequenza (Cap. III, par. III.4) Caratteristiche dispersive e dielettrico dispersivo non polare (Cap. III, par. III.4) Condizioni al contorno, Teorema di Poynting, Teorema di unicità nel dominio della frequenza (Cap. III, parr. III.4-6)
- Onde piane - Equazione di Helmholtz (Cap. IV, par. IV.1) Potenziali elettrodinamici (Cap. IV, par. IV.2) Funzioni d'onda (Cap. IV, par. IV.3) Onde piane nello spazio libero (Cap. IV, par. IV.4) Caratteristiche di propagazione delle onde piane (Cap. IV, par. IV.5) Polarizzazione delle onde piane. (Cap. IV, par. IV.6) Costanti secondarie del mezzo (Cap. IV, par. IV.8) Spettro di onde piane (Cap. IV, par. IV.10) Velocità di gruppo (Cap. IV, par. IV.11) Riflessione e rifrazione di onde piane. Incidenza normale e obliqua (Cap. V, parr. V.1-3)
- Linee di trasmissione - Equazioni delle linee di trasmissione (Cap. VI, par. VI.1) Soluzione delle equazioni delle linee di trasmissione (Cap. VI, par. VI.2) Impedenza, ammettenza e coefficienti di riflessione (Cap. VI, par. VI.3) Rapporto d'onda stazionaria (Cap. VI, par. VI.4) Uso del formalismo delle linee di trasmissione per lo studio della riflessione delle onde piane uniformi (Cap. VI, par. VI.5)
- Propagazione guidata e strutture guidanti - Strutture a simmetria cilindrica (Cap. VII, par. VII.1) Linee di trasmissione associate alle onde TM, TE e TEM (Cap. VII, par. VII.2) Guide d'onda cilindriche metalliche (Cap. VII, par. VII.3) Problemi di autovalori (Cap. VII, par. VII.4) Propagazione dei modi delle guide d'onda cilindriche metalliche (Cap. VII, par. VII.5) Guide d'onda rettangolari (Cap. VII, par. VII.6) Guide d'onda circolari e cavi coassiali (Cap. VII, par. VII.7) Guide dielettriche aperte (Cap. VII, par. VII.8)
- Radiazione - Problema deterministico (Cap. IX, par. IX.1) Funzioni di Green (Cap. IX, par. IX.2) Campo elettromagnetico prodotto da una distribuzione di correnti impresse nello spazio libero: formulazione del problema (Cap. IX, par. IX.3) La funzione di Green per lo spazio libero (Cap. IX, par. IX.4) Campo elettromagnetico prodotto da una distribuzione di correnti impresse nello spazio libero: soluzione generale e sue approssimazioni (Cap. IX, par. IX.5) Dipolo corto (Cap. IX, par. IX.10)
- Libro di testo: G. Gerosa e P. Lampariello - Lezioni di Campi elettromagnetici - Ed. Ingegneria 2000, Roma, 2006, II edizione - Materiale integrativo (teoria ed esercizi) disponibile sul sito web del docente (http://paoloburghignoli.site.uniroma1.it/)
(Date degli appelli d'esame)
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Attività formative caratterizzanti
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TEORIA DEI SEGNALI PARTE II
(obiettivi)
CONOSCENZA E COMPRENSIONE. Alla fine del corso lo studente ha appreso come modellare matematicamente la trasmissione di informazione mediante segnali e come estrarre informazioni utili dai segnali CAPACITÀ APPLICATIVE. Lo studente apprende i fondamenti dell'applicazione della teoria dei segnali ai sistemi di telecomunicazione e di telerilevamento AUTONOMIA DI GIUDIZIO. Durante il corso, gli studenti vengono costantemente invitati a riflettere in modo critico sui modi per trasmettere informazione mediante segnali. Vengono consigliati libri di testo alternativi per favorire lo sviluppo del senso critico. ABILITÀ DI COMUNICAZIONE. L'abilità di comunicare viene insegnata mediante le lezioni e mediante la verifica dei testi scritti dagli studenti durate le prove di esame. CAPACITÀ DI APPRENDERE. Agli studenti viene insegnato durante il corso a saper provvedere in modo autonomo negli studi facendo continui richiami ai legami degli argomenti insegnati nel corso e le attività lavorative collegate
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BARBAROSSA SERGIO
( programma)
Teoria della probabilità: definizione di probabilità di un evento, eventi condizionati ed eventi indipendenti, teorema di Bayes, teorema delle probabilità totali; eventi ripetuti, legge binomiale, Gaussiana e Poisson, legge dei grandi numeri
Variabili aleatorie: proprietà di una variabile aleatoria, densità di probabilità, momenti, funzione caratteristica, variabili bidimensionali, trasformazioni di variabili aleatorie, generazione di variabili aleatorie con assegnata densità di probabilità, teorema centrale del limite
Processi aleatori: definizione e proprietà fondamentali, stazionarietà, ciclostazionarietà, ergodicità, processo armonico, processo Gaussiano. Spettro di densità di potenza di un processo ergodico. Onda PAM. Transito dei segnali aleatori nei sistemi, campionamento di un processo aleatorio, rappresentazione dei processi aleatori in banda traslata.
Cenni di teoria dell'informazione: quantità di informazione, entropia di una variabile aleatoria discreta, entropia di una sequenza di variabili aleatorie discrete, informazione mutua, trasferimento di informazione su un canale discreto, capacità di un canale discreto senza memoria. Primo teorema di Shannon sulla codifica di sorgente. Codifica di Huffman. Secondo teorema di Shannon. Capacità di un canale con rumore additivo Gaussiano.
Trasmissioni numeriche: Filtro adattato, filtri sagomatori con caratteristica di Nyquist, coseno rialzato, probabilità di errore sul simbolo per trasmissioni PAM.
1. M. Luise, G. Vitetta, “Teoria dei Segnali”, McGraw Hill oppure
2. R. Cusani, “Teoria dei Segnali”, Ingegneria 2000
3. A. Papoulis, "Probability, random variables and stochastic processes", McGraw Hill
4. J. Proakis, “Digital Communications”, McGraw Hill
(Date degli appelli d'esame)
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ING-INF/03
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Attività formative caratterizzanti
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